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分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究
报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
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砷掺杂
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